西安君信电子获得根据高压MOSFET的BOOST电路专利提高全体功能

来源：雷火亚洲电竞平台发布时间：2025-01-08 01:37:39

金融界2024年11月23日音讯，国家知识产权局信息数据显现，西安君信电子科技有限责任公司获得一项名为“一种根据高压MOSFET的BOOST电路”的专利，授权公告号 CN 222029831 U，请求日期为2024年1月。

专利摘要显现，本实用新型触及一种根据高压MOSFET的BOOST电路，主要由驱动芯片、电阻、电容、电感、高压MOS、高压二极管等核心部件组成，使用了驱动才能、全体功能较强的驱动芯片和功率场效应管，选用的功率场效应管具有高压、大功率、低导通电阻、抗辐射、开关速度快、稳定性高级特性，驱动芯片具有宽电压、抗辐射、驱动才能强、呼应快、稳定性高级特性。