问题是很多计划规划者的魔咒；关于大多数运用者来说：称之为黑带频段；EMI－传导问题XDJM反应说，根据您的EMI滤波器规划规律的确处理了咱们的EMI－传导问题；可是常常会呈现30MHZ－50MHZ 特别是30MHZ／50MHZ的EMI－辐射问题难以脱节；我用详细的事例来解析一下中功率体系的双反激电源的30MHZ／50MHZ左右的EMI－辐射问题！

  如上图测验数据；这个计划的规划者差不多将FLY的MOS驱动电阻及MOS－DS间添加电容及体系的Y电容进行了长期的整改规划；试验成果在35MHZ的包络依然超支！在请求我的辅导时分，电路板他们已PCB进行了2－3轮的改版；我拿到规划材料在EMI试验室给他们进行了理论的噪声源剖析一起结合他们的实践产品结构一次整改就经过测验！如下测验数据：

  我从多年的开关电源规划经历和对EMI的了解，假如30MHZ左右对大多数的规划来说有很高几率呈现那这个30MHZ的频率一定是由器材寄生参数及回路的谐振而发生，假如是谐波重量的F＝1／（ЛTr）的机制呈现几率就会不被重视了！

  留意：30MHZ今后随频率的升高差模成分呈递减趋势；共模成分呈递加趋势！

  关于无PFC电路规划的双反激的30MHZ的EMI－辐射事例剖析Data如下：

  从电路的根本架构和参数的规划对或许的EMI问题都有预留规划；但实践的整改规划时都有充沛的比照测验成果；

  因而我先来剖析核算上面的根本电路结构能够进行＝ 30MHZ的谐振参数理论核算＆一起留意现在开关MOS的寄生电容参数！！经过我下面的核算数据咱们就能得到答案！！！

  开关MOS关断时；其VDS的电压在500V左右；其Coss也就几个PF左右！

  30MHZ相当于3－5uH的漏感 与 6－10PF的开关管的结电容的谐振！

  由此能得出：开关电源为什么／EMI－30MHZ／50MHZ前后超支几率高的问题！现在个人会运用的开关MOS的寄生参数（器材挑选）；开关管采样回路PCB走线mm走线nH）都不知不觉的落到咱们的谐振频率30MHZ－50MHZ左右，并且是包络性超支；因而咱们能从理论上剖析清楚EMI－黑带的发生机理关于EMI的问题就变的简略，从而能大幅度的下降规划本钱！因而请我们重视！

  关于电子科技类产品的任何可靠性规划及电磁兼容问题；我供给先剖析再规划技巧共享给朋友们！

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